Благодаря своим уникальным характеристикам (высокий максимальный ток, высокое напряжение пробоя и высокая частота переключения), нитрид галлия (или GaN) является уникальным материалом, выбранным для решения энергетических проблем будущего. Системы на основе GaN имеют более высокую энергоэффективность, благодаря чему снижаются потери мощности, переключаются на более высокую частоту, что снижает размеры и вес.
Технология GaN используется во многих применениях высокой мощности, таких как промышленные, бытовые и серверные источники питания, солнечные батареи, преобразователи частоты и ИБП, а также гибридные и электрические автомобили. Кроме того, GaN идеально подходит для радиочастотных применений, таких как сотовые базовые станции, радары и инфраструктура кабельного телевидения в сетевом, аэрокосмическом и оборонном секторах, благодаря своей высокой прочности на разрыв, низкому уровню шума и высокой линейности.
EpiGaN производит эпитаксиальные вафельные материалы GaN-on-Si и GaN-on-SiC и поставляет их производителям интегрированных устройств для создания высокопроизводительных силовых и радиочастотных устройств.
На сегодняшний день НПК "Фотоника" сотрудничает с компанией EpiGaN и предлагает выращивание пластин с характеристиками и параметрами, указанными в таблицах ниже.
Стандартная структура слоя для мощных радиочастотных решений
