Данная монолитная интегральная схема векторного модулятора, имеющая 3х-портовую конфигурацию и содержащая переключатели режимов «RX/TX», 6-разрядный фазовращатель, 5-разрядный аттенюатор, а также четыре буферных усилителя. Рабочий диапазон частот 8-11.5 ГГц, область применения: телекоммуникация и радиолокация. Интегрированный драйвер управления имеет параллельную загрузку команд, что позволяет независимо изменять состояния фазовращателя и аттенюатора.
Микросхема выполнена на основе GaAs pHEMT процесса с топологической нормой 0.15 мкм. В качестве финишной металлизации контактных площадок и обратной стороны кристалла используется золото. Имеет защитное покрытие нитридом кремния.
Данный кор чип не уступает по своим параметрах импортным аналогам и имеет значительное преимущество в цене.
Основные параметры (при температуре окружающей среда +25 градусов)
