Данная бескорпусная МИС выполнена на основе GaN HEMT процесса с топологической нормой 0.25 мкм способна обеспечить до 25 Вт выходной мощности при КПД 37%.
Применением для данной МИС могут служить передающие тракты перспективных РЛС с АФАР, системы навигации GPS/ГЛОНАСС и беспроводные сети.
Основные параметры (непрерывный режим)
