Данный кристалл выполнен на основе GaAs pHEMT процесса с топологической нормой 0.25 мкм.
Основные параметры (при температуре окружающей среда +25 градусов)
НПК "Фотоника" рада представить Вашему вниманию новый переключатель на основе арсенида галлия
1 июля 2019 11:53
// СВЧ
НПК "Фотоника" рада представить Вашему вниманию новый переключатель на основе арсенида галлия, разработанный партнерским дизайн центром в России и произведенный на мощностях компании Win Semiconductors.
-
Компания OMMIC на европейской микроволновой неделе17 октября 2019 -
Малощумящий широкополосный усилитель компании OMMIC5 сентября 2019 -
Проектируемый усилитель мощности Ku-диапазона5 сентября 2019 -
Новый GaN усилитель мощности (МИС) 25Вт30 июля 2019 -
НПК "Фотоника" начала сотрудничество с производителем пластин на основе нитрида галлия - EpiGaN17 мая 2019 -
Новый кор-чип Х-диапазона29 марта 2019 -
Новый СВЧ транзистор компании WavePia28 декабря 2018 -
НПК «Фотоника» подписала партнерское соглашение с Wavepia26 ноября 2018 -
Новый усилитель мощности российской разработки28 сентября 2018 -
НПК "Фотоника" прокладывает путь к Китайским производителям СВЧ электроники28 февраля 2018 -
AWR Design Forum 2017 завершен17 октября 2017 -
НПК "Фотоника" примет участие в AWR Design Forum18 сентября 2017 -
Новый усилитель мощности Х-диапазона30 апреля 2019
Наши специалисты ответят на любой интересующий вопрос
Задать вопрос