В статье представлены две монолитные интегральные схемы (МИС), разработанные и изготовленные с помощью 100‑нм технологического процесса D01GH от компании OMMIC, основанного на нитриде галлия на кремнии. Первая МИС — это 29–33 ГГц усилитель мощности с импульсной мощностью 10 Вт и средней мощностью 8 Вт. Вторая МИС представляет собой
26–34‑ГГц приемо-передающий чип, включающий малошумящий усилитель мощности, усилитель мощности и SPDT-ключ. В полосе частот 28–34 ГГц этот приемо-передающий чип обеспечивает выходную мощность 35–36 дБм, в том числе потери на переключение.
Мощный СВЧ усилитель и передающий чип от компании OMMIC
31 января 2019 22:35
// Статьи