SSD-диски и DIMM-модули

Твердотельные накопители Swissbit

SB_logo

 

SB1

Компания Swissbit образована в 2001 году как результат реструктуризации подразделения Siemens, производящего микроcхемы и модули памяти — Siemens Memory Products. Последующее объединение производственных мощностей в Швейцарии и Германии вывело Swissbit в число компаний мирового уровня, работающих на рынке «памяти» и задающих стандарты качества выпускаемой продукции. Соответствие технологического процесса критериям международной системы ISO 9001:2008, селекция и тестирование исходных материалов для последующей сборки изделий, а также фокусирование на областях, где требования по надежности и устойчивости к разного рода воздействиям ставятся на первое место, позволили специалистам Swissbit создать одни из лучших в своем классе микросхемы и модули памяти. Показательным подтверждением этого факта являются одобренные Европейской корпорацией аэрокосмической промышленности (EADS) flash-изделия Swissbit CompactFlash и Universal Serial Bus для применения в самолетах Airbus. В свою очередь, крупнейшие мировые производители радиоэлектроники - компании Fujitsu, Kontron, Siemens, Rexroth Bosch Group, Microsoft, Agilent Technologies и другие, применяют продукцию Swissbit в выпускаемом оборудовании.

Линейка продукции Swissbit включает:

МИКРО SD, SD, МУЛЬТИМЕДИЙНЫЕ КАРТЫ ПАМЯТИ

 

Микро SD карта памяти (SD/SDHC)

Микро SD карта памяти

SD карта памяти**** (SD/SDHC)

Мультимедийная карта памяти

Серия

S-300мкм

S-200мкм

S-200 / 220

M-100

Интерфейс

SDA 2.0, SDHC class 6 / 10

SDA 2.0 class 6

SDA 2.0, SDHC class 6 (10)

MMC 3.31, 4.1 & 4.2

Тип ячеек памяти

SLC

SLC

SLC

SLC

Размеры, мм

15.0x11.0x1.0

15.0x11.0x1.0

32.0x24.0x2.1

32.0x24.0x1.4

Ёмкость

2 - 8 Гб

512MB — 2Гб

512MB — 8Гб

128MB

Рабочий t° диапазон

-25°C … +85°C

 

-25°C…+85°C -40°C…+85°C

-25°C…+85°C -40°C…+85°C

-25°C…+85°C -40°C…+85°C

Удар

15G

1000G

1000G

1000G

Напряжение питания

2.0 - 3.6 В

2.0 - 3.6 В

2.0 - 3.6 В

2.0 - 3.6 В

* предусмотрена функция защиты данных при пропадании питания;

** в картах реализована схема усиленной защиты от статического электричества;

*** применение упрочнённого корпуса и специального коннектора увеличивает сопротивление карт изгибу или скручиванию;

**** в SD карте памяти применён коннектор с золотым покрытием (это повышает количество установок/изъятий карты в/из разъёмы до 10 000 раз).

COMPACTFLASH КАРТЫ ПАМЯТИ

 

CompactFlash карта

CompactFlash карта

CompactFlash карта

Серия

C-300

C-320**

C-400

Интерфейс

CFA4.1 / CFA3.0

True IDE / PC card

CFA4.1 / CFA3.0

True IDE / PC card

CFA5.0 / CFA4.1 & 3.0 compliant

True IDE / PC card

Тип ячеек памяти

SLC

SLC

SLC

Размеры, мм

36.4 x 42.8 x 3.3

36.4 x 42.8 x 3.3

36.4 x 42.8 x 3.3

Ёмкость

128MB - 8 Гб

2Гб — 32Гб

2Гб — 64Гб

Рабочий t° диапазон

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C -40°C…+85°C

Удар

1500G

1500G

1500G

Напряжение питания

3.3 В +/- 5 %, 5 В +/- 10 %

3.3 В +/- 5 %, 5 В +/- 10 %

3.3 В +/- 5 %, 5 В +/- 10 %

* для всех серий предусмотрена функция защиты данных от пропадании питания;

** в серии С-320 в картах ёмкостью 2-16 Гб реализована функция шифрования данных;

*** для всех серий - опция быстрого стирания данных.

CFAST КАРТЫ

 

CFast

CFast

Серия

F-100

F-200

Интерфейс

SATA II

SATA II

Тип ячеек памяти

SLC

SLC

Размеры, мм

36.4 x 42.8 x 3.6

36.4 x 42.8 x 3.6

Ёмкость

2Гб - 32Гб

2Гб — 64Гб

Рабочий t° диапазон

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C -40°C…+85°C

Удар

1500G

1500G

Напряжение питания

3.3 В +/- 5 %

3.3 В +/- 5 %

* предусмотрена функция защиты данных при попадании питания;

** Cfast карты - альтернатива более дорогостоящим SSD.

 

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ НАКОПИТЕЛИ (SSD)

 

PATASSD 2.5’’

SATASSD 2.5’’

mSATA MO-300B

SlimSATA MO-297A

Серия

P-120**

X-200**

X-200m

X-200s

Интерфейс

IDE/ATA133

SATA II

SATA II

SATA II

Тип ячеек

SLC

SLC

SLC

SLC

Размеры, мм

100.2 x 69.85 x 9.0

100.2 x 69.85 x 9.0

50.8x29.85x3.3

54.0x39.0x4.0

Ёмкость

4Гб - 32Гб

4Гб — 128Гб

2Гб - 32Гб

2Гб — 32Гб

Рабочий t° диапазон

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C -40°C…+85°C

Удар

1500G

1500G

1500G

1500G

Напряжение питания

5 В +/- 10 %

5 В +/- 10 %

3.3 В +/- 5 %

5 В +/- 10 %

* предусмотрена функция защиты данных при попадании питания;

** опция шифрования данных в сериях Р-120, Х-200.

USB FLASH МОДУЛЬ И USB FLASH НАКОПИТЕЛИ

 

USB модуль

USB накопитель

USB накопитель

Серия

U-100

unitedCONTRAST II*

miniTWIST/CAP II*

Интерфейс

USB 2.0, совместим с USB1.1

Тип разъема

Стандартный: 2.54 mm - 10 Pin

Низкопрофильный: 2.00 mm - 10 Pin

USB 2.0 A-Plug

 

USB 2.0 A-Plug

 

Тип ячеек памяти

SLC

SLC

SLC

Размеры, мм

36.8 x 26.65 x 2.4

68.0 x 18.0 x 8.0

55.0 x 16.0 x 8.0

Ёмкость

1Гб - 8 Гб

512MB — 8Гб

128MB — 4Гб

Рабочий t° диапазон

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C -40°C…+85°C

0°C…+70°C

Удар

50G

50G

50G

Напряжение питания

5 V +/- 10 %

5 V +/- 10 %

5 V +/- 10 %

* в сериях unitedCONTRAST II и miniTWIST/CAP II предусмотрена функция пароля доступа к данным.

 

DIMM МОДУЛИ ИНДУСТРИАЛЬНОГО ТЕМПЕРАТУРНОГО ДИАПАЗОНА -40°С...+85°С

Небуферизованные DIMM модули

Тип

Скорость обмена

Ёмкость

Высота, мм

Напряжение питания, В

Кол-во конт-в

Корпуса м/схем

DDR3-UDIMM

1333/CL9

1 Гб - 8 Гб

29.97

1.5

240

BGA

DDR3-UDIMM ECC

1333/CL9

1 Гб - 8 Гб

29.97

1.5

240

BGA

DDR2-UDIMM

800 / CL6

512MB -2 Гб

29.97

1.8

240

BGA

DDR2-UDIMM ECC

800 / CL6

1 Гб - 2 Гб

29.97

1.8

240

BGA

DDR1-UDIMM

400 / CL3

512MB -1 Гб

31.75

2.5

184

TSOP

DDR1-UDIMM LP*

400 / CL3

512MB -1 Гб

25.40

2.5

184

COB*

DDR1-UDIMM ECC

400 / CL3

512MB -1 Гб

31.75

2.5

184

TSOP

DDR1-UDIMMECC LP*

400 / CL3

512MB -1 Гб

25.40

 

2.5

184

COB*

* COB - Chip-On-Board, микросхемы памяти в бескорпусном исполнении на плате для уменьшения высоты DIMM-модуля и улучшения теплообмена. Кристаллы и контакты покрыты герметизирующим лаком (Conformal Coating).

 

НИЗКОПРОФИЛЬНЫЕ И КОМПАКТНЫЕ РЕГИСТРОВЫЕ (БУФЕРИЗОВАННЫЕ) DIMM МОДУЛИ «МИНИ»

Тип

Скорость обмена

Ёмкость

Высота, мм

Напряжение питания, В

Кол-во конт-в

Корпуса м/схем

DDR2-MiniRDIMM

667/CL5

1 Гб

18.29

1.8

244

BGA

DDR2-SO-RDIMM ECC

667/CL5

1 Гб - 2 Гб

29.97

1.8

200

BGA

 

КОМПАКТНЫЕ DIMM МОДУЛИ

Тип

Скорость обмена

Ёмкость

Высота, мм

Напряжение питания, В

Кол-во конт-в

Корпуса м/схем

DDR3-SODIMM

1333/CL9*

1 Гб - 8 Гб

29.97

1.5*

204

BGA

DDR3-SO-UDIMM

1333/CL9*

1 Гб - 8 Гб

29.97

1.5*

204

BGA

DDR3-XR-DIMM

1333/CL9

1 Гб - 4 Гб

38 x 67.5

1.5*

240

BGA

DDR2-SODIMM

800 / CL6

512MB -4 Гб

29.97

1.8

200

BGA

DDR2-SODIMM LP**

800 / CL6

512MB -2 Гб

0.94’’/1.18’’

1.8

200

COB**

DDR1-SODIMM

400 / CL3

256MB -1 Гб

31.75

2.5

200

BGA

DDR1-SODIMM LP**

400 / CL3

256MB -2 Гб

25.40

2.5

200

COB**

DDR1-SODIMM ECC**

400 / CL3

256MB -1 Гб

25.40

2.5

200

COB**

SDR-SODIMM**

133 / CL3

128MB -1 Гб

25.40

3.3

144

COB**

SDR-SODIMM ECC**

133 / CL3

128MB -1 Гб

25.40

3.3

144

COB**

* DDR3-1600 Cl11 и/или DDR3L (1.35V) - по отдельному запросу;

** ** СОВ - Chip-On-Board, микросхемы памяти в бескорпусном исполнении на плате для уменьшения высотмы DIMM-модуля и улучшения теплообмена. Кристаллы и контакты покрыты герметизирующим лаком (Conformal Coating).

 

DIMM МОДУЛИ «МИНИ», «МИКРО», «100-КОНТАКТНЫЕ»

Тип

Скорость обмена

Ёмкость

Высота, мм

Напряжение питания, В

Кол-во конт-в

Корпуса м/схем

DDR3-MiniUDIMM

1333/CL9

1 Гб - 4 Гб

1.18’’/ 0.74’’

1.5

244

BGA

DDR2-MicroUDIMM

667 / CL5

1 Гб

29.97

1.8

214

BGA

DDR1-100PIN_DIMM

333/CL2.5

128MB-512MB

25.40

2.5

100

TSOP

 

РЕГИСТРОВЫЕ (БУФЕРИЗОВАННЫЕ) DIMM МОДУЛИ

Тип

Скорость обмена

Ёмкость

Высота, мм

Напряжение питания, В

Кол-во конт-в

Корпуса м/схем

DDR3-RDIMM ECC+Parity

1333/CL9

1 Гб - 8 Гб

29.97

1.5

240

BGA

DDR2-RDIMM ECC+Parity

800 / CL6

1 Гб - 4 Гб

29.97

1.8

240

BGA

DDR1-RDIMM ECC

400 / CL3

512MB-2Гб

30.48

2.5

184

TSOP/ BGA

SDR-RDIMM ECC

133 / CL3

256MB-512MB

30.48

3.3

168

TSOP

 

НИЗКОПРОФИЛЬНЫЕ РЕГИСТРОВЫЕ (БУФЕРИЗОВАННЫЕ) И НЕБУФЕРИЗОВАННЫЕ DIMM МОДУЛИ

Тип

Скорость обмена

Ёмкость

Высота, мм

Напряжение питания, В

Кол-во конт-в

Корпуса м/схем

DDR3-RDIMM ECC+Parity

1333/CL9

2 Гб - 8 Гб

17.78

1.5

240

BGA

DDR3-UDIMM ECC

1333/CL9

2 Гб - 4 Гб

17.78

1.5

240

BGA

DDR2-RDIMM ECC+Parity

800 / CL6

1 Гб - 2Гб

18.29

1.8

240

BGA

Новости компании

Компании НПК «Фотоника» и Swissbit подписали дистрибьюторское соглашение

НПК «Фотоника» и Swissbit (Швейцария) подписали соглашение, в результате чего компания НПК «Фотоника» стала официальным дистрибьютором Swissbit на территории

Читать дальше18 Февраля 2014
Защищённые Micro SD карты памяти

Швейцарская компания Swissbit AG, являющаяся крупнейшим производителем DRAM-модулей памяти и NAND FLASH накопителей в Европе, представила две новые модели Micro SD карт,

Читать дальше31 Июля 2014

Задать вопрос

Вопрос
Ваше имя
E-mail для ответа