Новости
Подписаться на рассылку:
«Новости компании «НПК «Фотоника»:

Новости и статьи

Новости

Статьи


Новый широкополосный усилитель компании OMMIC

Компания OMMIC завершает разработку нового широкополосного усилителя мощности CGY2550UH/C1. Усилитель разработан с использованием технологии OMMIC D01GH с использование нитрида галлия на кремнии GaN/Si с шириной затвора 100нм.             Новый усилитель будет обладать ...

Читать дальшеOMMIC / 31 Июля 2018
Компания OMMIC разработала новый T/R chip (Ka-band)

Компанией OMMIC анонсирован премо-передающий чип Ка диапазона частот. Данный чип имеет парт номер CGY2750UH/C1 и выполнен на основе нитрида галлия (GaN). CGY2750UH/C1 объединил в себе усилитель мощности, малошумащий усилитель мощности с низким значением уровня шума, а так же ключ для ...

Читать дальшеOMMIC / 30 Мая 2018
Новый усилитель Ка-диапазона компании OMMIC

Компания OMMIC успешно завершила испытания нового СВЧ усилителя высокой мощности Ка-диапазона (исполнение – кристалл) на основе нитрида галлия (GaN). В настоящее время только завершились его испытания и партийный номер ещё не присвоен. Однако данный кристалл станет ...

Читать дальшеOMMIC / 23 Января 2018
Новый мощный СВЧ усилитель на основе нитрида галлия (GaN) от компании OMMIC Ka - диапазона частот

  Компания OMMIC успешно завершила испытания нового СВЧ усилителя высокой мощности CGY2650UH/C1 (исполнение – кристалл) на основе нитрида галлия (GaN). Данный кристалл пришел на замену предыдущей версии усилителя CGY2138UH/C1, производившегося на основе арсенида галлия (GaAs), выпуск ...

Читать дальшеOMMIC / 29 Ноября 2017
OMMIC освоил производство на 6-дюймовых подложках

Уважаемые коллеги! 26 сентября 2017 года в Валь-де-Марн (Франция) компания OMMIC анонсировала открытие новой производственной линии для элементной базы на основе нитрида галлия с использованием подложки из кремния размером 6 дюймов (150 мм). Данная линия производства стала ...

Читать дальшеOMMIC / 27 Сентября 2017
Обновление раздела «Статьи»

В разделе «Статьи» нашего сайта появился новый материал — статья «Гетероструктуры на основе нитрида галлия и технологии компании OMMIC на их основе». Развитие техники, увеличение требований заказчиков к техническим характеристикам изделий и общемировые ...

Читать дальшеOMMIC / 31 Август 2017
Производство СВЧ компонентов, построенных на нитриде галлия, в компании OMMIC

В 2014 году компания OMMIC приступила к освоению технологических процессов производства мощных ИС СВЧ диапазона с длинной затвора 100 нм, основанных на нитриде галлия (GaN). Транзисторы из нитрида галлия могут сохранять работоспособность при более высоких температурах и ...

Читать дальшеOMMIC / 6 Июня 2017