Подписаться на рассылку:
«Новости компании «НПК «Фотоника»:

1 Июля 2019

НПК "Фотоника" рада представить Вашему вниманию новый переключатель на основе арсенида галлия, разработанный партнерским дизайн центром в России и произведенный на мощностях компании Win Semiconductors. 

Данный кристалл выполнен на основе GaAs pHEMT процесса с топологической нормой 0.25 мкм.

 

Основные параметры (при температуре окружающей среда +25 градусов)