Производство СВЧ компонентов, построенных на нитриде галлия, в компании OMMIC
Подписаться на рассылку:
«Новости компании «НПК «Фотоника»:

Производство СВЧ компонентов, построенных на нитриде галлия, в компании OMMIC

6 Июня 2017

В 2014 году компания OMMIC приступила к освоению технологических процессов производства мощных ИС СВЧ диапазона с длинной затвора 100 нм, основанных на нитриде галлия (GaN). Транзисторы из нитрида галлия могут сохранять работоспособность при более высоких температурах и напряжениях, чем транзисторы из арсенида галлия, как следствие более привлекательны для создания приборов, применяемых в СВЧ изделиях. Технология получила наименование D01GH.

За прошедшее время компания достигла серьезных успехов в освоении данных процессов, и уже сегодня технология D01GH применяется для изготовления силовых ИС в диапазоне от 20 ГГц до 94 ГГц, а также для изготовления высоконадежных малошумящих усилителей в диапазоне от 10 до 30 ГГц.

В компании ведутся работы по освоению процесса производства с увеличенным до 6 дюймов размером подложки, что должно обеспечить более низкую стоимость оконенного продукта. Ориентировочный срок внедрения - сентябрь 2017 года.

В X-диапазоне повышение производительности улучшает определенные режимы усиления мощности и обеспечивает достаточно широкую полосу пропускания.

Восстановленные омические контакты улучшают производительность (контактное сопротивление <0,1 Ом х мм) для большей эффективности и низкого уровня шума.

 

СВЧ и электрические характеристики продуктов на основе GaN:

  • напряжение  пробоя затвор-сток (Vbgd): 30 В;
  • предельная частота усиления по току (Ft): 95 ГГц;
  • предельная частота усиления  по  мощности (Fmax ): 190 ГГц;
  • мощность: 3,2 Вт/мм затвора на 30 ГГц;
  • PAE:  35%;
  • грибовидный затвор  (100 нм – 60 нм).

В компании существует следующая программа развития продуктов:

  • 1 квартал 2017 года – выпуск продукции Ku и Ка диапазонов, такой как усилители мощности с длиной затвора 100 нм;
  • 2017 год – развитие технологии D006GH 60 нм на карбиде кремния;
  • 2-3 квартал 2017 года - развитие технологии ED01GH 100нм GaN/Si со встраиванием E/D транзисторов, предназначенных для цифровых блоков многофункциональных матриц.

Перспективы развития продуктовой линии на основе GaN:

Продукты на основе технологии D01GH:

  • усилители мощности Ка диапазона до 38 дБм;
  • малошумящие усилители Х и Ка диапазона;
  • усилители мощности с распределенным усилением 1-50 ГГц, 30 дБм.

Продукты на основе технологии ED01GH:

Данная технология основана на использовании процесса GaN/Si и нацелено на создание приборов, работающих на высокой мощности в частотных диапазонах от Х до Е. Главная цель работ  - создание приборов с длиной затвора менее 50 нм, что позволит создавать приборы, работающие при высоких мощностях в частотном диапазоне до 110 ГГц.

Продукты на основе технологии D006GH:

  • усилители мощности Е диапазона до 30/32 дБм;
  • усилители мощности W диапазона до 30 дБм.