Проектирование усилителей мощности на основе нитрида галлия на кремнии (GaN/Si)
Подписаться на рассылку:
«Новости компании «НПК «Фотоника»:

Проектирование усилителей мощности на основе нитрида галлия на кремнии (GaN/Si)

31 Август 2018

В статье рассматриваются результаты проектирования и испытаний МИС СВЧ усилителя мощности, работающего на частотах около 40 ГГц и изготовленного с использованием нитрида галлия на кремнии с шириной затвора 100 нм. Представленный в статье усилитель работает в Ku-диапазоне с обеспечением усиления 20 дБ, выходной мощности 14 Вт при компрессии
4,5 дБ и КПД до 30%. Такая величина выходной мощности достигается при плотности рассеяния мощности 3,2 Вт/мм на транзисторе, что позволяет легко регулировать конечную температуру изделия.

Читать статью полностью